![sti divot](https://host.easylife.tw/files/RiotIsolator.png)
本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體(MOSFET)淺溝槽隔離絕緣層(ShallowTrenchIsolation,STI)與鄰近電晶體主動區的高度差(Step-height)對元件特性的影響。,STIdivotformationiseliminatedorsubstantiallyreducedbyemployingaverythinnitridepolishstoplayer,e...
工學院半導體材料與製程設備學程碩士論文
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由嚴永民著作·2011—ShallowTrenchIsolation(STI)techniquesareessentialforsemiconductordeviceforreducingelectricalinterferencesbetweendevicesofsub-microandsub100- ...
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